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[H01L-73]半导体器件;其他类目未包括的电固体器件(目录73) |
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[H01L-73-001] 在晶片衬底上沉积、释放和封装微机电器件的方法 [H01L-73-002] 磁阻随机存取存储器装置及构成该装置的铁磁性半导体的铁磁性转移温度的控制方 [H01L-73-003] 半导体器件以及制造这种半导体器件的方法 [H01L-73-004] 微米结构和纳米结构的复制和转移 [H01L-73-005] 蓝色发光的三(8-氧代喹啉)铝(Ⅲ)(Alq3) [H01L-73-006] 灯和制灯方法 [H01L-73-007] 半导体器件及其制造方法 [H01L-73-008] 一种有机电子部件功能层的材料及其制造方法和应用 [H01L-73-009] 底切多层衍射结构的散射仪测量方法 [H01L-73-010] 装置台驱动装置与探查方法 [H01L-73-011] 防止显影缺陷的方法及用于该方法的组合物 [H01L-73-012] 伪非易失性直接隧穿浮栅器件 [H01L-73-013] 双侧除热系统 [H01L-73-014] 氮化物只读存储器记忆胞元配置制造方法 [H01L-73-015] 半导体器件所用部件 [H01L-73-016] 间隙结构制造方法 [H01L-73-017] 用于控制处理室内的压力的设备及其操作方法 [H01L-73-018] 近共振机电电动机 [H01L-73-019] 薄膜光电晶体管,应用该光电晶体管的有源矩阵衬底以及应用该衬底的图象扫描装 [H01L-73-020] 导电间隔物延伸的浮栅 [H01L-73-021] 半导体装置的制造方法 [H01L-73-022] 无电镀敷槽的温度控制顺序 [H01L-73-023] 在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法 [H01L-73-024] 有机硅酸盐聚合体和含有该有机硅酸盐聚合体的绝缘膜 [H01L-73-025] 光电混合集成模块和使用该模块作为部件的光输入/输出设备 [H01L-73-026] 横向半导体器件 [H01L-73-027] 具有边缘结构的半导体器件 [H01L-73-028] COF薄膜输送带及其制造方法 [H01L-73-029] 一半导体器件及制造一半导体器件的方法 [H01L-73-030] 等离子体处理方法 [H01L-73-031] 具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法 [H01L-73-032] 改进的用于静电晶片夹紧装置的压盘 [H01L-73-033] 半导体装置 [H01L-73-034] 氮化物只读存储器存储单元阵列制造方法 [H01L-73-035] 具有构造块的集成电路 [H01L-73-036] 将相异移除速度应用到衬底表面的方法与装置 [H01L-73-037] 半导体器件及其制造方法 [H01L-73-038] 含有场效应晶体管的集成电路及其制造方法 [H01L-73-039] 用于使用多重门极层制造逻辑元件的技术 [H01L-73-040] 用于动态传感器配置和运行时间执行的方法和设备 [H01L-73-041] 半导体封装件及其制备方法 [H01L-73-042] 起机械杠杆作用的灵巧器件操作机构上的温度补偿嵌入件 [H01L-73-043] 集成半导体结构 [H01L-73-044] 薄膜晶体管电子器件及其制造 [H01L-73-045] 大功率、高光通量发光二极管及其制作方法 [H01L-73-046] Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺 [H01L-73-047] 光电电池 [H01L-73-048] 带电子迁移和/或抗淬灭层的电子器件 [H01L-73-049] 从包括缓冲层的晶片转移薄层 [H01L-73-050] 基板的表面处理方法 [H01L-73-051] 曝光用转写掩模及曝光用转写掩模的图形更换方法 [H01L-73-052] 热处理方法和热处理装置 [H01L-73-053] 保护半导体器件的方法及采用这种方法用于半导体器件的保护装置 [H01L-73-054] 喹喔啉衍生物的电荷迁移组合物和由其制得的电子器件 [H01L-73-055] 被处理体的输送方法 [H01L-73-056] 拾取半导体芯片的方法和设备及为此使用的吸引和剥落工具 [H01L-73-057] 用于测试集成电路的探测器板 [H01L-73-058] 具应力吸收半导体层之半导体组件及其制造方法 [H01L-73-059] 硅氧烷基粘合片材、将半导体芯片粘接到芯片连接元件上的方法,和半导体器件 [H01L-73-060] 堆叠微电子封装 [H01L-73-061] 氮化镓类化合物半导体装置 [H01L-73-062] 去耦电容的表面安装焊料方法和设备及制造过程 [H01L-73-063] 半导体器件及其制造方法 [H01L-73-064] 干式蚀刻方法、干式蚀刻气体及全氟-2-戊炔的制备方法 [H01L-73-065] 图形尺寸校正装置和图形尺寸校正方法 [H01L-73-066] SOI基片上的N-P对接 [H01L-73-067] 带有温控卡盘的无电沉积方法和设备 [H01L-73-068] 半导体器件测试装置 [H01L-73-069] 具有虚设图形的半导体器件 [H01L-73-070] 借助于横截面收缩制造发光二极管壳体的方法 [H01L-73-071] 微机电系统装置内结构的机电行为的控制 [H01L-73-072] 有机薄膜齐纳二极管 [H01L-73-073] 半导体基板、形成于其中的半导体电路及其制造方法 [H01L-73-074] 照相装置、制造照相装置的方法以及晶片尺度的封装 [H01L-73-075] 半导体器件的制造方法及通过该方法得到的半导体器件 [H01L-73-076] 引线架基的元件罩壳、引线架带、表面安装的电子元件和制造方法 [H01L-73-077] 带基底上的超导材料 [H01L-73-078] 半导体器件及其制造方法 [H01L-73-079] 半导体装置的制造方法 [H01L-73-080] 减少非钝化激光熔丝的飞溅 [H01L-73-081] 以图案表面为模板的材料及其制造方法 [H01L-73-082] 具有存储器单元组的存储器体系结构 [H01L-73-083] 含阴离子配体的有机发光材料 [H01L-73-084] 对基片上薄膜区域作激光结晶处理以提供本质上均匀性的工艺和系统以及这样的薄 [H01L-73-085] 光热诱发的扩散方法和电气设备 [H01L-73-086] 对基片上薄膜区域作激光结晶处理以最小化边缘区域的过程和系统,及如此薄膜区 [H01L-73-087] Ⅲ-V化合物半导体晶体 [H01L-73-088] 染料敏化型光电变换装置及其制造方法 [H01L-73-089] 硅薄膜晶体管及其制造方法以及显示屏 [H01L-73-090] 固态摄像装置及其制造方法 [H01L-73-091] 具有背侧面空穴安装电容器的电子封装及其加工方法 [H01L-73-092] 低阻抗集成电路的电源/地结构 [H01L-73-093] 用聚合物酸胶体制备的可水分散的聚噻吩 [H01L-73-094] 基板处理装置 [H01L-73-095] 凸块形成方法、半导体器件及其制造方法、基板处理装置和半导体制造装置 [H01L-73-096] 条带引线框和其制作方法以及在半导体包装中应用的方法 [H01L-73-097] 由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法 [H01L-73-098] 静电保持装置 [H01L-73-099] 压电振动器以及其制造方法 [H01L-73-100] 使用交替淀积和蚀刻以及脉冲等离子体对高纵横比SOI结构进行没有切口的蚀刻 [H01L-73-101] 氧化膜形成方法及氧化膜形成装置 [H01L-73-102] 用于成像探测器的半导体结构 [H01L-73-103] 导光装置 [H01L-73-104] 具有包括带金属电极网的反射镜的共振腔的MSM型光电检测器件 [H01L-73-105] 非易失性存储元件及其制造方法与存储元件装置 [H01L-73-106] 用于改进MOS栅控从而降低米勒电容和开关损失的方法和装置 [H01L-73-107] 氧化层的方法及基板的相关支持装置 [H01L-73-108] 垂直NROM [H01L-73-109] 集成驱动器工艺流程 [H01L-73-110] 用作电子活性成分的2,1,3-苯并噻二唑 [H01L-73-111] 电子对准电容性地耦合的芯片焊盘的方法和装置 [H01L-73-112] 沟槽肖特基势垒二极管 [H01L-73-113] 平板传热装置及其制造方法 [H01L-73-114] 缩小集成电路的接触部尺寸以制造多阶层接触的方法 [H01L-73-115] 减少在半导体装置制造过程中图案变形及光阻膜毒化的方法 [H01L-73-116] 光聚合性组合物及其用途 [H01L-73-117] Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的Ⅲ族元素氮化物透明单晶 [H01L-73-118] 小体积、高流导的处理室 [H01L-73-119] 可表面安装的半导体器件及其制造方法 [H01L-73-120] 具有半导体路径的半导体装置及其制造方法 [H01L-73-121] 副支架和半导体器件 [H01L-73-122] 有机硅氧烷 [H01L-73-123] 用于分布式功率放大器的混合结构 [H01L-73-124] 放热用构件及其连接构造体 [H01L-73-125] 固态成像装置、用于固态成像装置的方法、成像方法和成像器 [H01L-73-126] 饱和型磷光体固态发射器 [H01L-73-127] 具有芯片级封装外壳的半导体器件 [H01L-73-128] 微T型电极的制造方法 [H01L-73-129] 电子产品、主体及其制造方法 [H01L-73-130] 用于制造封装半导体器件的方法和设备,通过该方法获得的封装半导体器件和适用 [H01L-73-131] 强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造 [H01L-73-132] 减少在化学机械法平面化过程中的表面凹陷和磨蚀的方法 [H01L-73-133] 使用碳纳米管和CVD增加热界面的导热率 [H01L-73-134] 分配系统和方法 [H01L-73-135] 各向异性导电连接器,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法 [H01L-73-136] 各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法 [H01L-73-137] 场效应晶体管 [H01L-73-138] 氮化钨的汽相沉积 [H01L-73-139] 蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物 [H01L-73-140] 短路失效模式预制件的功能涂层 [H01L-73-141] 光电二极管阵列、其制造方法和放射线检测器 [H01L-73-142] 用化合物完全或部分覆盖至少一个电子元件的方法和设备 [H01L-73-143] 用于成像探测器的封装结构 [H01L-73-144] 用于制造自对准双极晶体管及有关结构的方法 [H01L-73-145] 具有到沟道的钝化肖特基势垒的绝缘栅场效应晶体管 [H01L-73-146] 微电极连接方法及基于其的连接结构 [H01L-73-147] 半导体晶片的制造方法 [H01L-73-148] MEMS阵列、其制造方法以及MEMS器件制造方法 [H01L-73-149] 铁电器件以及制造该器件的方法 [H01L-73-150] NROM存储器元件,存储器阵列,相关装置和方法 [H01L-73-151] 减少半导体材料中的缺陷 [H01L-73-152] 用于快速热处理装置的温度测量系统的光学路径提高、焦距变化补偿、以及漫射光 [H01L-73-153] 剥离液 [H01L-73-154] 包括薄膜电路元件的电子器件的制造 [H01L-73-155] 薄膜晶体管、液晶显示设备及其制备方法 [H01L-73-156] 半导体器件的制造方法以及制造装置 [H01L-73-157] 从其上移去层之后的包括缓冲层的晶片的机械再循环 [H01L-73-158] 通过植入N-及P-型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法 [H01L-73-159] 发光元件及其制造方法 [H01L-73-160] 在开口中形成导电材料的方法和与其相关的结构 [H01L-73-161] 用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片 [H01L-73-162] 图像传感器、包括图像传感器的照相机系统及其制造方法 [H01L-73-163] 维修系统、基板处理装置、远程操作装置和通信方法 [H01L-73-164] 利用可倒转式楔形接合工具在电子器件制造中对引线进行楔形接合 [H01L-73-165] 向-制程室提供气体的方法及设备 [H01L-73-166] 用于简化制造具有薄膜材料装置的夹具和方法 [H01L-73-167] 图案形成基体材料及图案形成方法 [H01L-73-168] 通过大气辉光放电产生屏蔽涂层 [H01L-73-169] 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 [H01L-73-170] 半导体装置和半导体装置的制造方法 [H01L-73-171] 具有高介电常数顶部电介质的电介质存储器存储单元及其方法 [H01L-73-172] 具有多个发光元件的发光装置 [H01L-73-173] 处理装置和处理方法 [H01L-73-174] 半导体存储器件及其制造方法 [H01L-73-175] 半导体器件及其制造方法 [H01L-73-176] RF集成电路用绝缘硅片 [H01L-73-177] 白色发光二极管及其制作方法 [H01L-73-178] 表面安装的电气元件和用于安装并保持该电气元件的方法 [H01L-73-179] 电子部件用金属材料、电子部件、电子设备、金属材料的加工方法、电子部件的制 [H01L-73-180] 表面安装电源的发光晶粒封装 [H01L-73-181] 沟槽分割的发光二极管及其制造方法 [H01L-73-182] 晶格调谐半导体衬底的形成 [H01L-73-183] 传送和存储半导体晶片的容器的系统和传送机构 [H01L-73-184] 用于使电容器充电和放电的设备和方法 [H01L-73-185] 反常膨胀材料 [H01L-73-186] 以化学、机械和/或电解方法从微电子衬底上除去材料的方法和装置 [H01L-73-187] 嵌入式金属互连的制造方法 [H01L-73-188] 带有热应力释放装置的微型芯片 [H01L-73-189] 快闪存储单元及造成分离侧壁氧化的方法 [H01L-73-190] 半导体集成电路用绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法 [H01L-73-191] 制造自调准非易失存储单元的方法 [H01L-73-192] 具中间材料及其组件的集成电路装置 [H01L-73-193] 磁致电阻效应元件及其制造方法和使用方法 [H01L-73-194] 多孔质薄膜的改质方法及被改质的多孔质薄膜及其用途 [H01L-73-195] 半导体器件及其制造方法 [H01L-73-196] 利用固定温度的卡盘以可变温度的工艺加热衬底的方法 [H01L-73-197] 照射时表现出增强的图案识别能力的半导体器件 [H01L-73-198] 晶片涂敷和单切方法 [H01L-73-199] 白色发光装置 [H01L-73-200] 太阳能电池及其制造方法 |
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