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以下全部专利技术为一张数据光盘(在电脑上使用,可以打印),定价200元(含特快专递费用)。每张光盘包括全部专利技术资料,每项专利技术资料均为正式专利全文说明书,含技术配方、加工工艺、质量标准等;同时包括专利发明人、权利要求书、说明书和附图等信息。
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[H01L-17]半导体器件;其他类目未包括的电固体器件(目录17) |
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[H01L-17-001] 半导体集成电路器件和多芯片模块的制造方法 [H01L-17-002] 用于测量电子器件参数的方法及设备 [H01L-17-003] 把MSQ粘附到衬里氧化物的方法和结构 [H01L-17-004] 底栅薄膜晶体管的制作方法 [H01L-17-005] 底栅型薄膜晶体管,其制造方法和使用该晶体管的液晶显示装置 [H01L-17-006] 半导体器件制造工艺 [H01L-17-007] 用于半导体测试系统的晶片图象显示装置和方法 [H01L-17-008] 一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法 [H01L-17-009] 制造自旋阀结构的方法 [H01L-17-010] 压电陶瓷及使用了该陶瓷的压电陶瓷元件 [H01L-17-011] 经编机的提花装置 [H01L-17-012] 缺陷知识库 [H01L-17-013] 缺陷源识别器 [H01L-17-014] 传送缺陷来源识别器中图像,数据,或其它信息的方法和装置 [H01L-17-015] 包含具有埋置电容器的衬底的电子组装件及其制造方法 [H01L-17-016] 在缺陷源识别器和工具数据收集及控制系统之间提供通信的方法和装置 [H01L-17-017] 金属膜的生产方法,具有这种金属膜的薄膜器件,以及具有这种薄膜器件的液晶显 [H01L-17-018] 感光性树脂组合物 [H01L-17-019] 在连续多步抛光处理中防止晶片损伤的方法 [H01L-17-020] 晶片形状评价法、装置及器件制造法,晶片及晶片挑选法 [H01L-17-021] 半导体器件制造方法和半导体器件的制造装置 [H01L-17-022] 残渣洗涤液 [H01L-17-023] 光纤开关组件 [H01L-17-024] 形成金属布线的方法和用于形成金属布线的半导体制造设备 [H01L-17-025] 半导体用粘接膜、带有半导体用粘接膜的导线框及使用了该导线框的半导体装置 [H01L-17-026] 双位多值弹道MONOS存储器及其制造方法和该存储器的编程以及动作过程 [H01L-17-027] 退火单晶片的制造方法及退火单晶片 [H01L-17-028] 非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及 [H01L-17-029] 发光二极管及半导体激光 [H01L-17-030] 陶瓷多层底板的制造方法及未烧成的复合层合体 [H01L-17-031] 包括粗粒度和细粒度树脂粘结部的磨床磨杆 [H01L-17-032] 用倾斜壁基座进行的被动对齐 [H01L-17-033] 基片加工方法 [H01L-17-034] 外延覆层金属带及其制造方法 [H01L-17-035] 磁致电阻效应元件、磁致电阻效应型磁头及其制造方法 [H01L-17-036] 摇动喷淋型传送式基板处理装置 [H01L-17-037] 传送式基板处理装置 [H01L-17-038] 半导体结构 [H01L-17-039] 半导体器件 [H01L-17-040] 在单面上带块形连接的垂直导电倒装芯片式器件 [H01L-17-041] 具有反应副产物沉积防止装置的排气管和沉积防止方法 [H01L-17-042] 具有用于输入/输出的分段球限定冶金结构的器件的布图和方法 [H01L-17-043] 有机金属化合物及其作为形成金属或金属衍生物薄膜和粉末前体的用途 [H01L-17-044] 处理装置运转的监视方法 [H01L-17-045] III族氮化物半导体发光器件 [H01L-17-046] 相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法 [H01L-17-047] 功率半导体器件及其制造方法 [H01L-17-048] 凸起形成装置和方法 [H01L-17-049] 锁料室 [H01L-17-050] 集成电路制造方法 [H01L-17-051] 形成平版印刷用填隙材料的组合物 [H01L-17-052] 用于集成电路熔丝的单脉冲切断的紫外激光系统和方法 [H01L-17-053] 刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法 [H01L-17-054] 产生辐射的半导体芯片 [H01L-17-055] 染料敏化的光电转换元件 [H01L-17-056] 功率金属氧化物半导体晶体管的配置 [H01L-17-057] 形成具有洁净区的硅片的方法和装置 [H01L-17-058] 利用化学吸附技术形成硼化物阻挡层 [H01L-17-059] 含涂布增强剂的旋布介电层组合物 [H01L-17-060] 功率半导体模块 [H01L-17-061] 半导体激光器件 [H01L-17-062] 具有集成电路的电子芯片组件及其制造方法 [H01L-17-063] 水平入口半导体光检测器 [H01L-17-064] 具有分段行修复的半导体存储器 [H01L-17-065] 薄膜金属氧化物结构及其制造方法 [H01L-17-066] 具有受吸气层保护的氢退化介电层的集成电容器件 [H01L-17-067] 薄膜压电元件 [H01L-17-068] 成形金属模清扫用片与使用该片的半导体装置的制造方法 [H01L-17-069] 具有至少一只发光二极管作为光源的照明单元 [H01L-17-070] 在网状载体上的热界面材料 [H01L-17-071] 包括-需要电极化的热电物质层的热释传感器的制造方法 [H01L-17-072] 存储单元,存储单元装置和制造方法 [H01L-17-073] 薄膜结构体及其制法以及加速传感器及其制法 [H01L-17-074] 耐振动冲击的散热器组件 [H01L-17-075] 基片处理装置及处理方法 [H01L-17-076] 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺 [H01L-17-077] 电子元件及其制造方法 [H01L-17-078] 在半导体衬底上制造无源元件的方法 [H01L-17-079] 硅内沟道结构底部的厚氧化层 [H01L-17-080] 半导体发光器件及其制造工艺 [H01L-17-081] 图像显示装置及制造图像显示装置的方法 [H01L-17-082] 加速度传感器及其制造方法 [H01L-17-083] 功率MOSFET及其形成和工作方法 [H01L-17-084] 半导体器件及其形成方法 [H01L-17-085] 制造热稳定MTJ单元的方法和装置 [H01L-17-086] 对基体进行热处理 [H01L-17-087] 恢复电介质膜及电介质材料中疏水性的方法 [H01L-17-088] 倒装片衬底设计 [H01L-17-089] RC定时器方案 [H01L-17-090] 塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法 [H01L-17-091] 形成具有改进的界面和粘合力的铜互连封盖层的方法 [H01L-17-092] 包括可焊热界面的电子组件及其制造方法 [H01L-17-093] 半导体基板上形成前金属电介质薄膜的方法 [H01L-17-094] 发动机驱动发电机的整流器组件中二极管部件的制造方法 [H01L-17-095] 含有氟化苯基吡啶、苯基嘧啶和苯基喹啉的电致发光铱化合物及用该化合物制备的 [H01L-17-096] 半导体集成电路器件及其制造方法 [H01L-17-097] 用于晶片处理控制和诊断的电子集成硬件 [H01L-17-098] 量子计算机的硅基片上的单分子阵列 [H01L-17-099] 纳米电子电路的制造 [H01L-17-100] 具有较低栅极电荷结构的沟槽MOSFET [H01L-17-101] 沟道型肖特基整流器 [H01L-17-102] 电气元件组件和制造方法 [H01L-17-103] 均匀抛光微电子器件的方法 [H01L-17-104] 具有一体热交换器的热电模块和使用方法 [H01L-17-105] 彩色太阳能电池单元 [H01L-17-106] 具有防湿结构的密封管芯封装上的直接组合层 [H01L-17-107] 使用二氧化碳喷雾选择性除去金属膜层的方法 [H01L-17-108] 集成电路浅沟槽隔离方法 [H01L-17-109] 利用外部影响在工件的上表面和空腔表面放置的添加剂之间产生差别的电镀方法和 [H01L-17-110] 光电元件及组件 [H01L-17-111] 多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除 [H01L-17-112] 用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备 [H01L-17-113] 具有增强匹配特性的高效电容器结构 [H01L-17-114] 硅高速腐蚀方法 [H01L-17-115] 光捕获阵列 [H01L-17-116] 压电元件及音响-电气变换器及其制造方法 [H01L-17-117] 发光聚合物的热转印 [H01L-17-118] 曝光装置、曝光方法、以及器件制造方法 [H01L-17-119] 绝缘膜用材料,绝缘膜用罩光清漆,以及绝缘膜和采用该膜或该清漆的半导体装置 [H01L-17-120] 光导区域间的隔离装置 [H01L-17-121] 耐热性树脂的预聚体,耐热性树脂,绝缘膜和半导体装置 [H01L-17-122] 成像特性的测量方法和曝光方法 [H01L-17-123] 封装用环氧树脂模塑料及半导体装置 [H01L-17-124] 基底及其制造方法,以及薄膜结构体 [H01L-17-125] 用于制造并进行流体喷射的流体喷射环和方法 [H01L-17-126] 半导体器件及其形成工艺 [H01L-17-127] 采用反射辐射监控衬底处理 [H01L-17-128] 具有轻掺杂源结构的凹槽DMOS晶体管 [H01L-17-129] 电介质薄膜元件及使用它的执行元件、喷墨头和喷墨记录装置 [H01L-17-130] 包含有机发光二级管的屏幕的吸湿装置及其制造工艺 [H01L-17-131] 电极构造、薄膜构造体的制造方法 [H01L-17-132] 光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件 [H01L-17-133] 热处理装置和热处理方法 [H01L-17-134] 具有超薄磁性层的TMR材料 [H01L-17-135] 半导体工艺用的具有远程第二阳极的电镀系统 [H01L-17-136] 压电薄膜以及其制造方法、以及具备该压电薄膜的压电元件、以及使用该压电元件 [H01L-17-137] 正感光性聚酰亚胺树脂组合物 [H01L-17-138] 抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法 [H01L-17-139] 金属容器结构的平面化 [H01L-17-140] 集成电路用的底面连接件及形成该底面连接件的方法 [H01L-17-141] 具有非对称沟道结构的功率MOS器件 [H01L-17-142] 用于光电子学的半导体芯片及其制造方法 [H01L-17-143] 含有连接发光金属配合物的聚合物和由这种聚合物制成的装置 [H01L-17-144] 固化性组合物、清漆及层压体 [H01L-17-145] 平面双端开关 [H01L-17-146] 晶体管和包括晶体管的显示器 [H01L-17-147] 发光或受光用半导体模块及其制造方法 [H01L-17-148] 半导体器件及其制造方法 [H01L-17-149] 用于倒装式结合在有焊料凸块晶片上预底填料的溶剂辅助抛光 [H01L-17-150] 氧化物材料、氧化物薄膜的制造方法以及使用该材料的元件 [H01L-17-151] 用于在集成电路中进行版本标识的装置和方法以及用于控制运行过程的应用 [H01L-17-152] 半导体器件及其制作方法 [H01L-17-153] 采用回蚀工艺的低缺陷SiGe的层移植 [H01L-17-154] 源极侧边植入硼以减少沟道掺杂的深次0.18微米闪存单元 [H01L-17-155] 含有聚酰胺树脂的清漆及其用途 [H01L-17-156] 光学元件固定装置 [H01L-17-157] 研磨状况监视方法及其装置、研磨装置、半导体器件制造方法、以及半导体器件 [H01L-17-158] 在衬底中的大高宽比部件的蚀刻 [H01L-17-159] 曝光装置以及器件制造方法 [H01L-17-160] 在Ⅲ-V族氮化物半导体基板上制作产生辐射的半导体芯片的方法以及产生辐射的 [H01L-17-161] 双扩散型金氧半导体晶体管的制造方法 [H01L-17-162] 半导体器件及其制造方法 [H01L-17-163] 高电压自定位MOS元件的集成 [H01L-17-164] 用于提高光刻胶附着的无定形碳层 [H01L-17-165] 具有无镓层的III族氮化物发光器件 [H01L-17-166] 制造含有粘接于-目标基片上的-薄层的-叠置结构的方法 [H01L-17-167] 在铜镶嵌制程中形成金属-绝缘-金属型(MIM)电容器的方法 [H01L-17-168] 在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 [H01L-17-169] 降低内连线的电浆制程的异常放电的方法 [H01L-17-170] 高密度平坦单元型的罩幕式只读存储器制造方法 [H01L-17-171] 垂直式只读存储器及其工艺 [H01L-17-172] 移位寄存器 [H01L-17-173] 新型硅压阻式压力感测元件及其制造方法 [H01L-17-174] 球脚阵列封装基板及其制造方法 [H01L-17-175] 发光器件和制造该器件的方法 [H01L-17-176] 具螺旋布置金属电极的氮化物发光二极管及其制造方法 [H01L-17-177] 一种晶圆型态扩散型封装系统 [H01L-17-178] 一种晶圆阶段记忆体预烧测试电路及其方法 [H01L-17-179] 含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法 [H01L-17-180] 摄像装置及摄像镜头 [H01L-17-181] 探测分析系统的宽带设计 [H01L-17-182] 节能型发光二极管灯具 [H01L-17-183] 白色发光二极管的制造方法 [H01L-17-184] 用于评估多晶硅薄膜的装置 [H01L-17-185] 闪存的制造方法 [H01L-17-186] 内导式气流能量传输的方法与装置 [H01L-17-187] 影像感测器及其封装方法 [H01L-17-188] 半导体装置 [H01L-17-189] 与安装基片有可靠连接的半导体器件 [H01L-17-190] 树脂组合物、耐热性树脂膏及使用该树脂组合物及耐热性树脂膏的半导体器件及其 [H01L-17-191] 集成的光收发信机及其相关方法 [H01L-17-192] 通过激光退火和快速加温退火形成超浅结的方法 [H01L-17-193] 电子器件封装 [H01L-17-194] 量子阱混合 [H01L-17-195] 以晶片级形成堆积管芯集成电路芯片封装件的方法 [H01L-17-196] 集成在微电子电路内的线圈和线圈系统及微电子电路 [H01L-17-197] 由多晶物质形成微米级结构 [H01L-17-198] 用于工件的等离子体清洗的方法和装置 [H01L-17-199] 磁阻效应元件和磁阻效应型磁头 [H01L-17-200] 复合压电变压器 |
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